مدار برنامهریزی ممریستور با استفاده از تکنولوژی هیبرید CMOS/Nano
memristor programming circuit using cmos/nano technology
نویسندگان :
مهدی ترخان ( دانشگاه فردوسی مشهد ) , محمد میمندی نژاد ( دانشگاه فردوسی مشهد ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( )
کليدواژه ها
ممریستور ، تنظیم مقاومت ممریستور، متغیر حالت ممریستور، برنامه ریزی ممریستورکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:, 1395 , مدار برنامهریزی ممریستور با استفاده از تکنولوژی هیبرید CMOS/Nano , بیست و چهارمین کنفرانس مهندسی برق ایران
دیگر مقالات این رویداد
تماس با ما
شیراز،بلوار جمهوری اسلامی، دانشگاه شیراز
تلفن:36134000 (مرکز تلفن) - 36286418 (روابط عمومی)
کد پستی : ۸۴۳۳۴ - ۷۱۹۴۶
آدرس ایمیل : webadmin@shirazu.ac.ir
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه شیراز میباشد. (همایش نگار نسخه 10.1.1)