Novel dual material gate carbon Nano tube field-Effect transistor based on stepwise doping profile channel
Novel dual material gate carbon Nano tube field-Effect transistor based on stepwise doping profile channel
نویسندگان :
زهره محمودی ( دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ) , بهرام عزیزالله گنجی ( دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ) , عالیه رازقی ( دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ) , شیرین صابر حسینی ( دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل )
کليدواژه ها
CNTFET; NEGF; DSC-DMG-CNTFET; leakage current.کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:, 1395 , Novel dual material gate carbon Nano tube field-Effect transistor based on stepwise doping profile channel , بیست و چهارمین کنفرانس مهندسی برق ایران
