ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی باله ای با نواحی سیلیسیوم- ژرمانیوم تزریق شده به اکسید مدفون به منظور کاهش اثرات خودگرمایی
Fin Field-Effect Transistor By Injected Extra Layer In Buried Oxide Layer :A Novel Device Structure for High Temperature Applications
نویسندگان :
علی اکبر شهرام نژاد ( آموزش عالی پویش ) , فاطمه کریمی ( آموزش عالی پویش )
کليدواژه ها
اثرات خود گرمایی، سیلیسیم- ژرمانیوم، شبیه سازی سه بعدی، کاهش سد القایی درین، هدایت گرماییکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:, 1395 , ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی باله ای با نواحی سیلیسیوم- ژرمانیوم تزریق شده به اکسید مدفون به منظور کاهش اثرات خودگرمایی , بیست و چهارمین کنفرانس مهندسی برق ایران
