ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور دوگیتی با عایق HfO2 در کانال سیلیسیم-ژرمانیوم (HOSG-DG)
Presenting a new structure of the double gates transistors with HfO2 in SiGe channel
نویسندگان :
حامد نجفعلی زاده منفرد ( دانشگاه سراسری سمنان ) , علی اصغر اروجی ( دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( )
کليدواژه ها
اثر HCE، ترانزیستور دوگیتی، عایق HfO2کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:, 1395 , ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور دوگیتی با عایق HfO2 در کانال سیلیسیم-ژرمانیوم (HOSG-DG) , بیست و چهارمین کنفرانس مهندسی برق ایران
