افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
Increasing the breakdown voltage and reducing the on-state resistance of SOI-LDMOSFET transistor using a metal layer in buried oxide
نویسندگان :
حجت الله منصوری ( دانشکده مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه سمنان ) , علی اصغر اروجی ( دانشکده مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه سمنان ) , ( ) , ( ) , ( ) , ( )
کليدواژه ها
ترانزیستور ماسفت، سیلیسیم روی عایق، لایه ی فلز مدفون، مقاومت حالت روشن، ولتاژ شکستکد مقاله / لینک ثابت به این مقاله
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:, 1395 , افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون , بیست و چهارمین کنفرانس مهندسی برق ایران
